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描述
FQD1N80TM是n通道QFET采用平面条纹和DMOS技术生产的增强模式功率MOSFET。这种的MOSFET技术特别适合于降低on态电阻，并提供的开关性能和高雪崩能量强度。
特点
1.0 A, 800v, RDS(on) = 20 Ω(Max.) @VGs= 10v, lD=0.5 A
低栅电荷(典型5.5nC)
低Crss(典型2.7 pF)
雪崩测试
用途
开关模式电源，
有源功率因数校正(PFC)
电子灯镇流器
照明
| 深圳市优特美尔电子有限公司 | |||
|---|---|---|---|
| 联系人 | 詹姆斯 |
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| 主营产品 | 集成电路,连接器 | 网址 | http://utmelelectronic.b2b.huangye88.com/ |
