安森美半导体FQD1N80TMMOSFET

詹姆斯 | 来源：深圳市优特美尔电子有限公司发布时间：2022-12-10

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描述

FQD1N80TM是n通道QFET采用平面条纹和DMOS技术生产的增强模式功率MOSFET。这种的MOSFET技术特别适合于降低on态电阻，并提供的开关性能和高雪崩能量强度。

特点

1.0 A, 800v, RDS(on) = 20 Ω(Max.) @VGs= 10v, lD=0.5 A

低栅电荷(典型5.5nC)

低Crss(典型2.7 pF)

雪崩测试

用途

开关模式电源，

有源功率因数校正(PFC)

电子灯镇流器

照明

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