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安森美半导体NVMFS6H818NT1GMOSFET

詹姆斯 | 来源:深圳市优特美尔电子有限公司 发布时间:2022-12-28
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自买家付款之日起3天内发货
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描述

NVMFS6H818NT1G是一种80V单n通道功率MOSFET。半功率MOSFET NVMFS6H818NT1G具有低RDS(on)以小化传导损耗,低QG和电容以小化驱动器损耗。NVMFS6H818NT1G具有以下特点,可应用于开关电源、电源开关和DC-DC变换器。


特点

小占地面积(5x6毫米)紧凑的设计

低RDS(on)以小化传导损失

低QG和电容,大限度地减少驱动器损耗

可湿式侧翼增强光学检测选项

原子能-具备PPAP能力

无Pb且符合RoHS标准


用途

开关电源

电源开关(高侧驱动,低侧驱动,h型桥等)

48 v系统

电机控制

直流/直流转换器

负荷开关


深圳市优特美尔电子有限公司
联系人
詹姆斯
微信
手机
13352964541
邮箱
传真
地址
深圳市福田区华富路中航中心大厦35楼
主营产品
集成电路,连接器
网址
http://utmelelectronic.b2b.huangye88.com/m/

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