安森美半导体FDD5612MOSFET

描述:

FDD5612是一个60V n通道PowerTrench?MOSFET是为小化导通电阻而设计的，并保持低栅极电荷以获得的开关性能。新的中压功率MOSFET FDD5612是一种结合了小栅电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关，有助于在交直流电源中快速切换同步整流。它采用屏蔽门结构，提供电荷平衡。

特点:

18a, 60v

  -RDS(ON) = 55米@ VGS = 10伏

  -RDS(ON) = 64米@ VGS = 6伏

优化用于高频DC/DC转换器

低等级费用

快速切换

此设备为无Pb, 且符合RoHS标准

用途:

航空航天与

电器

楼宇自动化

电子销售点(EPOS)

工厂自动化控制

电网基础设施

工业运输(非轿车和非轻型卡车)

照明