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描述
STT4P3LLH6是采用stripet H6技术开发的p通道功率MOSFET，具有新的沟槽栅结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出非常低的RDS(on)。STT4P3LLH6封装在SOT-23-6封装中，能够提供连续漏极电流4A。这种p通道功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。
特点
极低导通电阻
极低的栅极电荷
抗雪崩强度高
低门驱动功率损耗
用途
切换应用程序
新能源汽车
光伏及风力发电
智能电网
| 深圳市优特美尔电子有限公司 | |||
|---|---|---|---|
| 联系人 | 詹姆斯 |
微信 | 无 |
| 手机 | | 邮箱 | 无 |
| 传真 | 无 | 地址 | 深圳市福田区华富路中航中心大厦35楼 |
| 主营产品 | 集成电路,连接器 | 网址 | http://utmelelectronic.b2b.huangye88.com/ |
