安森美半导体FDN302PMOSFET

描述

FDN302P是一个-20V p通道2.5V功率沟槽?MOSFET，设计用于降低导通电阻，同时保持低栅极电荷，以获得的开关性能。新的中压功率mosfet是经过优化的功率开关，它结合了微小的栅电荷(QG)、小的反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管，从而在AC/DC电源中快速切换同步整流。

特点

- 20A， -2.4 V

Rds (on)= 0.055Ω @ VGS = -4.5 v

Rds (on) = 0.080Ω @ VGS = -2.5 v

SuperSOT -3提供较低的RDS(ON)，在相同的占地面积下，功率处理能力比SOT23高出30%

切换速度快

极低RDS(ON)的沟槽技术

用途

电源管理

负荷开关

电池保护

移动电话

个人电脑和笔记本电脑

便携式电子设备