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美国安森美公司FDC699PMOSFET

詹姆斯 | 来源:深圳市优特美尔电子有限公司 发布时间:2022-12-05
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产品单价
面议
起订量
1件
供货总量
不限量
发货期限
自买家付款之日起3天内发货
品牌
美国安森美公司
封装 / 箱体
SSOT-6
Vds-漏源极击穿电压
20V
Pd-功率耗散
2W

描述

P-Channel 2.5VMOSFET FDC699P是仙童半导体的PowerTrench工艺的坚固门版本。它已经优化了电源管理应用与栅极驱动电压的广泛范围(2.5V - 12V)。


特点

-7 A, -20 V RDS(ON) = 22米?@ VGS = -4.5 v

RDS(ON) = 30米?@ VGS = -2.5 v

极低RDS(ON)的沟槽技术

切换速度快

FLMP SuperSOT-6封装:在工业标准封装尺寸中增强了热性能


应用

负荷开关

电池保护


深圳市优特美尔电子有限公司
联系人
詹姆斯
微信
手机
13352964541
邮箱
传真
地址
深圳市福田区华富路中航中心大厦35楼
主营产品
集成电路,连接器
网址
http://utmelelectronic.b2b.huangye88.com/m/

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